买卖IC网 >> 产品目录 >> BLL6H1214-500 射频MOSFET电源晶体管 500W, 1.2-1.4GHz L-Band, Radar Appl. datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLL6H1214-500

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 500W, 1.2-1.4GHz L-Band, Radar Appl.
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 500W, 1.2-1.4GHz L-Band, Radar Appl.
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Dual Common Source
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 100 V
漏极连续电流 72 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT502B
封装 Bulk
相关资料
属性
链接
代理商 BLL6H1214-500
BLL6H1214-500,112
BLL6H1214-500112
BLL6H1214L-250
BLL6H1214L-250,112
BLL6H1214LS-250,11
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电话
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  • BLL6H1214-500 参考价格
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